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参数资料
| 型号： | FDD86110 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.2 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2265pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = 12.5 A
V DD = 50 V
5000
8
V DD = 25 V
V DD = 75 V
1000
C iss
6
4
100
C oss
2
f = 1 MHz
0
0
5
10
15
20
25
V GS = 0 V
10
0.1
1
10
C rss
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
T J = 25 o C
80
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
10
T J = 100 o C
40
Limited by Package
V GS = 6 V
R θ JC = 0.98 C/W
T J = 125 o C
20
o
1
0.001
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , C ASE TEMPERATURE ( C )
500
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continous Drain Current
vs. Case Temperature
10000
SINGLE PULSE
100
10 μ s
R θ JC = 0.98 o C/W
T C = 25 o C
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 μ s
1000
SINGLE PULSE
1
T J = MAX RATED
R θ JC = 0.98 o C/W
T C = 25 o C
CURVE BENT TO
1 ms
10 ms
100
MEASURED DATA
DC
10
10
10
10
0.1
0.1
1
10
100
400
50 -5
10
-4
-3
-2
-1
1
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86110 Rev.C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD86113LZ | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 |
| FDD86250 | MOSFET N-CH 150V 8A DPAK |
| FDD86252 | MOSFET N-CH 150V 5A DPAK |
| FDD86326 | MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK |
| FDD8647L | MOSFET N-CH 40V 14A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD86113LZ | 功能描述:MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86250 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86252 | 功能描述:MOSFET 150 N-CH PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86326 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8647L | 功能描述:MOSFET 40/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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