- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录417 > FDD86113LZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD86113LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 104 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD86113LZFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
1000
8
I D = 4.2 A
V DD = 25 V
V DD = 50 V
100
C iss
C oss
6
V DD = 75 V
4
2
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
1
2
3
4
1
0.1
1
10
100
R θ JC = 4.3 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
6
5
4
T J = 25 o C
3
T J = 100 o C
12
10
8
6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
o
2
T J = 125 o C
4
Limited by Package
2
1
0.01
0.1
1
2
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
-1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
20
10
10
10
10
-2
-3
-4
-5
V GS = 0 V
T J = 125 o C
10
100 μ s
10
10
-6
-7
T J = 25 o C
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
10
10
10
-8
-9
-10
0
5
10
15
20
25
30
35
0.1
0.05
0.1
1
T J = MAX RATED
R θ JC = 4.3 o C/W
T C = 25 o C
10
1 ms
10 ms
DC
100
400
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Gate Leakage Current vs
Gate to Source Voltage
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe
Operating Area
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86113LZ Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD86250 | MOSFET N-CH 150V 8A DPAK |
| FDD86252 | MOSFET N-CH 150V 5A DPAK |
| FDD86326 | MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK |
| FDD8647L | MOSFET N-CH 40V 14A DPAK |
| FDD86540 | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD86250 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86252 | 功能描述:MOSFET 150 N-CH PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86326 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8647L | 功能描述:MOSFET 40/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86540 | 功能描述:MOSFET 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。