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参数资料
| 型号： | FDFS6N303_NL |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | FDFS6N303_NL |
FDFS6N303 Rev. D3
Typical
Fet
And
Schottky
Electrical
Characteristics
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
Q
, GATE CHARGE (nC)
V
,
GATE-SOURCE
VOLTAGE
(V)
g
GS
I
= 6.0A
D
V
= 5V
DS
10V
15V
0.1
0.3
1
3
10
30
50
100
200
500
1000
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
CAPACITANCE
(pF)
DS
f = 1 MHz
V
= 0V
GS
Coss
Ciss
Crss
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
TRANSIENT
THERMAL
RESISTANCE
r(t),
NORMALIZED
EFFECTIVE
1
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
1
2
R
(t) = r(t) * R
R
=135° C/W
θJA
T - T
= P * R
(t)
θJA
A
J
P(pk)
t1
t 2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current.
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage.
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.1
1
10
V , FORWARD VOLTAGE (V)
I
,
FORWARD
CURRENT
(A)
25°C
F
T = 125°C
J
0
5
10
15
20
25
30
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V , REVERSE VOLTAGE (V)
I
,
REVERSE
CURRENT
(A)
T = 125°C
J
25°C
R
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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