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参数资料
| 型号： | FDG311N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 1.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | FDG311N-ND FDG311NTR |
Typical Characteristics
10
8
V GS = 4.5V
3.5V
3.0V
2
1.8
6
2.5V
1.6
V GS = 2.0V
4
2.0V
1.4
1.2
2.5V
3.0V
2
1.5V
1
3.5V
4.0V
4.5V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
0.32
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.4
1.2
1
0.8
I D = 1.9A
V GS = 4.5V
0.28
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
T A = 125 o C
T A = 25 o C
I D = 1A
0.04
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
0
1
2 3 4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
10
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
10
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
125 C
8
V DS = 5V
T A = -55 o C 25 o C
o
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
6
4
2
0.1
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
0
0
1
2
3
4
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDG311N Rev. D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG312P | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 |
| FDG313N_D87Z | MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 |
| FDG315N | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 |
| FDG316P | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 |
| FDG327NZ | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG311N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 1.9A, SC-70 |
| FDG311N_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG312P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG312P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDG313N | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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