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参数资料
| 型号： | FDG315N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 220pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG315NDKR |
July 2000
FDG315N
N-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize
on-state resistance and yet maintain superior switching
performance.
These devices are well suited for low voltage and
battery powered applications where low in-line power
loss and fast switching are required.
Applications
?
DC/DC converter
?
Load switch
?
Power Management
?
?
?
?
2 A, 30 V. R DS(ON) = 0.12 ? @ V GS = 10 V
R DS(ON) = 0.16 ? @ V GS = 4.5 V.
Low gate charge (2.1nC typical).
High performance trench technology for extremely low
R DS(ON) .
Compact industry standard SC70-6 surface mount
package.
D
S
1
6
D
2
5
SC70-6
D
D
G
3
4
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Ratings
30
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current - Continuous
(Note 1a)
2
A
- Pulsed
6
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
0.75
W
(Note 1b)
0.48
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1b)
260
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
. 15
Device
FDG315N
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
? 2000 Fairchild Semiconductor International
FDG315N Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG316P | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 |
| FDG327NZ | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| FDG327N | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| FDG328P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| FDG330P | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG316P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG318P | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG326 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDG326P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG326P_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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