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参数资料
| 型号： | FDG327N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 423pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 380mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG327NDKR |
October 2001
FDG327N
20V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized use
in small switching regulators, providing an extremely
? 1.5 A, 20 V.
R DS(ON) = 90 m ? @ V GS = 4.5 V.
R DS(ON) = 100 m ? @ V GS = 2.5 V
R DS(ON) = 140 m ? @ V GS = 1.8 V
low R DS(ON) and gate charge (Q G ) in a small package.
Applications
? DC/DC converter
? Power management
? Load switch
S
? Fast switching speed
? Low gate charge (4.5 nC typical)
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability.
D
D
1
2
6
5
G
SC70-6
Pin 1
D
D
3
4
T A =25 C unless otherwise noted
Absolute Maximum Ratings
o
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
1.5
A
– Pulsed
6
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
0.42
W
(Note 1b)
0.38
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
300
333
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.27
Device
FDG327N
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG327N Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG328P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| FDG330P | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 |
| FDG332PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 |
| FDG410NZ | MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 |
| FDG6301N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG327N_Q | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG327NZ | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG327NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:20V N-Channel PowerTrenchO MOSFET |
| FDG327NZ_Q | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG328P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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