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参数资料
| 型号： | FDG330P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 477pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
December 2001
FDG330P
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.
It has been optimized for battery power management
applications.
? –2 A, –12 V.
R DS(ON) = 110 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 150 m ? @ V GS = –2.5 V
R DS(ON) = 215 m ? @ V GS = –1.8 V
Applications
? Battery management
? Load switch
? Low gate charge
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? Compact industry standard SC70-6 surface mount
package
D
D
S
1
6
2
5
SC70-6
Pin 1
D
D
G
3
4
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–12
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–2
A
– Pulsed
–6
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
0.75
W
(Note 1b)
0.48
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Note 1b)
260
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.30
Device
FDG330P
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG330P Rev D (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG332PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 |
| FDG410NZ | MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 |
| FDG6301N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 |
| FDG6301N_F085 | MOSFET 2N-CH 25V 220MA SC70-6 |
| FDG6303N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG330P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDG330P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG332PZ | 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG361N | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Specified 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FD-G4 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER |
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