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参数资料
| 型号： | FDG330P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 477pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
6
4.5
V GS =-4.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
-1.8V
3
2.6
V GS =-1.5V
2.2
3
1.8
-1.8V
1.5
-1.5V
1.4
1
-2.0V
-2.5V
-3.0V
-4.5V
0
0
0.5 1 1.5 2
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.5
0.6
0
1.5
3
-I D , DRAIN CURRENT (A)
4.5
6
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.4
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.3
1.3
I D = -2.0A
V GS = -4.5V
0.25
I D = -1A
1.2
1.1
1
0.9
0.2
0.15
T A = 125 o C
0.8
0.7
0.1
0.05
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
6
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
T A = -55 C
4.5
V DS = -5V
o
25 o C
125 o C
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
0.1
3
1.5
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
0
0.5
1 1.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
2
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDG330P Rev D (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG332PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 |
| FDG410NZ | MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 |
| FDG6301N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 |
| FDG6301N_F085 | MOSFET 2N-CH 25V 220MA SC70-6 |
| FDG6303N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG330P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDG330P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG332PZ | 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG361N | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Specified 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FD-G4 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER |
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