- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录418 > FDG330P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDG330P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 477pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
6
800
5
4
I D = -2A
V DS = -4V
-8V
-6V
700
600
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
500
3
400
2
300
C OSS
200
1
0
0
2
4
6
8
100
0
0
2
4
C RSS
6
8
10
12
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
8
R θ JA = 260°C/W
T A = 25°C
1ms
1
100ms
1s
10ms
6
0.1
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA = 260 o C/W
DC
4
2
T A = 25 o C
0.01
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 260 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.01
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDG330P Rev D (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG332PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 |
| FDG410NZ | MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 |
| FDG6301N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 |
| FDG6301N_F085 | MOSFET 2N-CH 25V 220MA SC70-6 |
| FDG6303N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG330P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDG330P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG332PZ | 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG361N | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Specified 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FD-G4 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。