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参数资料
| 型号： | FDG327N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 423pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 380mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG327NDKR |
Typical Characteristics
16
V GS = 4.5V
2.5V
2
12
3.0V
2.0V
1.8
V GS = 1.8V
1.6
8
1.8V
1.4
2.0V
2.5V
1.2
3.0V
4
0
1
0.8
3.5V
4.5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
4
8
12
16
1.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = 1.5 A
V GS = 4.5V
0.18
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 0.8A
1.4
0.14
1.2
0.1
1
T A = 125 o C
T A = 25 C
0.8
0.6
0.06
0.02
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
12
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A =-55 C
25 C
9
V DS = 5V
o
125 o C
o
10
V GS = 0V
T A = 125 o C
1
25 o C
6
0.1
-55 C
o
0.01
3
0.001
0
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDG327N Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG328P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| FDG330P | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 |
| FDG332PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 |
| FDG410NZ | MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 |
| FDG6301N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG327N_Q | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG327NZ | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG327NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:20V N-Channel PowerTrenchO MOSFET |
| FDG327NZ_Q | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG328P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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