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参数资料
| 型号： | FDG312P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG312PDKR |
February 1999
FDG312P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor's advanced PowerTrench process that
has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain low gate charge for
superior switching performance. These devices are
well suited for portable electronics applications.
?
?
-1.2 A, -20 V. R DS(on) = 0.18 ? @ V GS = -4.5 V
R DS(on) = 0.25 ? @ V GS = -2.5 V.
Low gate charge (3.3 nC typical).
Applications
?
High performance trench technology for extremely
low R DS(ON) .
? Load switch
? Battery protection
? Power management
?
Compact industry standard SC70-6 surface mount
package.
D
S
1
6
D
2
5
SC70-6
D
D
G
3
4
Absolute Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Ratings
-20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1)
-1.2
A
- Pulsed
-6
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
0.75
W
(Note 1b)
(Note 1c)
0.55
0.48
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
260
° C/W
Package Outlines and Ordering Information
Device Marking
. 12
Device
FDG312P
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
? 1999 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG312P Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG313N_D87Z | MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 |
| FDG315N | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 |
| FDG316P | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 |
| FDG327NZ | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| FDG327N | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG312P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDG313N | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG313N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDG313N_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG314P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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