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参数资料
| 型号： | FDG313N_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 Product Discontinuation 03/Dec/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 950mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
5
(continued)
150
4
I D = 0.95A
V DS = 5V
10V
100
15V
50
C iss
3
C oss
2
20
f = 1 MHz
1
10
V GS = 0V
C rss
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
5
0.1
0.5
1
2
5
10
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
5
30
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
ON
RD
LIM
10m
100
R θ JA = 260 C/W
T A = 25 C
2
1
0.3
S(
)
IT
1s
ms
1m
s
s
24
18
o
o
0.1
V GS = 4.5V
10s
DC
12
SINGLE PULSE
0.03
0.01
R θ JA =260°C/W
T A = 25°C
6
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20 30
50
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA =260°C/W
0.1
0.1
0.05
0.05
P(pk)
0.01
0.02
t 1
t 2
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDG313N Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG315N | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 |
| FDG316P | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 |
| FDG327NZ | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| FDG327N | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| FDG328P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG314P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG314P_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG315 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDG315N | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG316P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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