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参数资料
| 型号： | FDG328P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 337pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG328PFSDKR |
Typical Characteristics
6
V GS = -4.5V
2.5
5
-3.0V
-3.5V
-2.5V
2.25
V GS = -2.0V
2
4
1.75
3
2
-2.0V
-1.8V
1.5
1.25
-2.5V
-3.0V
-3.5V
1
0
1
0.75
-4.5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
2
3
4
5
6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Characteristics
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Current
1.5
1.4
1.3
I D = -1.5A
V GS = -4.5V
0.4
0.35
0.3
I D = -0.8 A
1.2
0.25
1.1
1
0.2
T A = 125 o C
0.9
0.8
0.15
0.1
T A = 25 o C
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.05
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
6
5
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
125 o C
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
4
3
0.1
25 o C
-55 o C
0.01
2
0.001
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
Typical Characteristics
FDG328P Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG330P | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 |
| FDG332PZ | MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 |
| FDG410NZ | MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 |
| FDG6301N_D87Z | MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 |
| FDG6301N_F085 | MOSFET 2N-CH 25V 220MA SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG328P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SC70-6 SINGLE PCH 20V :ROHS COMPLIANT |
| FDG329N | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG330P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG330P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDG330P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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