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参数资料
| 型号： | FDG6308P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 153pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | FDG6308P-ND FDG6308PTR |
January 2001
FDG6308P
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.
It has been optimized for battery power management
applications.
? –0.6 A, –20 V.
R DS(ON) = 0.40 ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 0.55 ? @ V GS = –2.5 V
R DS(ON) = 0.80 ? @ V GS = –1.8 V
Applications
? Battery management
? Load switch
S
? Low gate charge
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? Compact industry standard SC70-6 surface mount
package
D
G
S 1 or 4
G 2 or 5
6 or 3 D
5 or 2 G
D
Pin 1
S
G
D 3 or 6
4 or 1 S
SC70-6
The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin 4 are interchangeable.
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1)
–0.6
A
– Pulsed
–1.8
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1)
0.3
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
415
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.08
Device
FDG6308P
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG6308P Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6316P | MOSF P CH DUAL 12V 700MA SC70-6 |
| FDG6317NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318P | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6320C_D87Z | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6308P_Q | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6313 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDG6313N | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6313N_NL | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6314P | 功能描述:MOSFET Dual PCh Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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