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参数资料
| 型号： | FDG6320C_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA，140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 220mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
0.2
2.5
V GS = -4.5V
-3.5V
V GS = -2.0V
0.15
-3.0V
-2.7V
2
-2.5V
-2.7V
0.1
-2.5V
1.5
-3.0V
-3.5V
0.05
-2.0V
1
-4.0V
-4.5V
0
0
1 2 3
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
4
0.5
0
0.05
0.1
-I D , DRAIN CURRENT (A)
0.15
0.2
Figure 11. On-Region Characteristics.
1.6
I D = -0.14A
25
20
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = -0.07A
1.4
V GS = -4.5V
15
1.2
1
0.8
10
5
T A = 125°C
T A = 25°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0
1.5
2
2.5 3 3.5 4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4.5
5
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0.14
0.12
V DS = -5.0V
T A = -55°C
25°C
0.3
0.1
V GS = 0V
T A = 125°C
125°C
0.1
25°C
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
0.001
-55°C
0
0
1
2
3
4
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDG6320C.Rev D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6321C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6322C_D87Z | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6332C_F085 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| FDG6332C | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| FDG6335N | MOSFET N-CH 20V 700MA SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6321 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P Channel Digital FET |
| FDG6321C | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6321C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDG6321C_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6322C | 功能描述:MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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