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参数资料
| 型号： | FDI040N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 产品目录绘图： | I-PAK, I2PAK Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 133nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
August 2012
FDI040N06
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60V, 168A, 4.0m Ω
Features
? R DS(on) = 3.2m Ω ( Typ.) @ V GS = 10V, I D = 75A
? Fast Switching Speed
? Low Gate Charge
? High Performance Trench Technology for Extremely Low
R DS(on)
? High Power and Current Handling Capability
? RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor ’s advanced PowerTrench process that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
Application
? DC to DC convertors / Synchronous Rectification
D
G D S
I 2 -PAK
FDI Series
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
-Continuous (T C = 25 o C, Silicion Limited)
FDI040N06
60
±20
168*
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous (T C = 100 o C, Silicion Limited)
118*
A
-Continuous (T C = 25 o C, Package Limited)
120
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
672
A
E AS
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
(T C = 25 o C)
- Derate above 25 o C
(Note 2)
(Note 3)
872
7.0
231
1.54
mJ
V/ns
W
W/ o C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +175
300
o
o
C
C
* Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package limitation current is 120A.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
FDI040N06
Units
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case, Max
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max
0.65
62.5
o
C/W
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDI040N06 Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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