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参数资料
| 型号： | FDI047AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 138nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
October 2013
FDP047AN08A0 / FDH047AN08A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
75 V, 80 A, 4.7 m Ω
Features
? R DS(ON) = 4.0 m ? (Typ.), V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q g (tot) = 92 nC (Typ.), V GS = 10V
? Low Miller Charge
Applications
? Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PS U
? Battery Protection Circui t
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82684
D
GD
S
TO-220
G
D
S
TO-247
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
C
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 144 o C, V GS = 10V)
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V, with R θ JA = 62 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FDP047AN08A0
FDH047AN08A0
75
± 20
80
15
Figure 4
475
310
2.0
-55 to 175
Unit
V
V
A
A
A
mJ
W
W / o C
o
Thermal Characteristics
C/W
C/W
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case, Max. TO-220, TO-247
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-220 (Note 2)
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-247 (Note 2)
0. 48
62
30
o C/W
o
o
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 / FDH047AN08A0 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDI047AN08A0_F085 | 功能描述:MOSFET 75V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI100 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:1 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDI101 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:1 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDI102 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:1 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDI10-250L | 功能描述:端子 12-10AWG .25 F 50 PK RoHS:否 制造商:AVX 产品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 线规:26-18 接线柱/接头大小: 绝缘: 颜色:Red 型式:Female 触点电镀:Tin over Nickel 触点材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接类型:Crimp |
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