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参数资料
| 型号： | FDI3652 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
October 2013
FDP3652 / FDB3652
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 61 A, 16 m Ω
Features
? r DS(on) = 14 m ? ( Typ.), V GS = 10 V, I D = 61 A
? Q g(tot) = 41 nC ( Typ.), V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q RR Body Diode
Applications
? Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
? Battery Protection Circuit
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
? Micro Solar Inverter
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82 769
D
D
GD
S
TO-220
G
S
D 2 -PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
FDP3652 / FDB3652
100
±20
Unit
V
V
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
61
A
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V) with R θ JA = 43 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
43
9
Figure 4
182
150
1.0
-55 to 175
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, D 2 -PAK
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, D 2 -PAK (Note 2)
1.0
62
o
o
C/W
C/W
1in copper pad area
R θJA
Thermal Resistance Junction to Ambient
D 2 -PAK ,
2
43
o
C/W
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3652 / FDB3652 Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com
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