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参数资料
| 型号： | FDI3652 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0 40 80 120 160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
5000
C ISS = C GS + C GD
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 50V
8
1000
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
6
4
100
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 61A
40
V GS = 0V, f = 1MHz
0
I D = 30A
0.1
1
10
100
0
1 0
20
3 0
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3652 / FDB3652 Rev. C0
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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