参数资料
型号: FDI3652
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 10/13页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
标准包装: 400
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 61A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2880pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262AA
包装: 管件
SPICE Thermal Model
REV 23 March 2002
FDP3652
CTHERM1 TH 6 1e-2
CTHERM2 6 5 1.5e-2
th
JUNCTION
CTHERM3 5 4 2e-2
RTHERM1
CTHERM1
CTHERM4 4 3 2.1e-2
CTHERM5 3 2 2.2e-2
CTHERM6 2 TL 9e-2
6
RTHERM1 TH 6 2.7e-2
RTHERM2 6 5 2.8e-2
RTHERM3 5 4 7.8e-2
RTHERM4 4 3 9e-2
RTHERM5 3 2 2.7e-1
RTHERM6 2 TL 2.87e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDP3652
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =1e-2
ctherm.ctherm2 6 5 =1.5e-2
ctherm.ctherm3 5 4 =2e-2
ctherm.ctherm4 4 3 =2.1e-2
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
5
4
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
ctherm.ctherm5 3 2 =2.2e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =9e-2
3
rtherm.rtherm1 th 6 =2.7e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =2.8e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =7.8e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =9e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =2.7e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =2.87e-1
RTHERM5
CTHERM5
}
RTHERM6
2
CTHERM6
tl
CASE
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3652 / FDB3652 Rev. C0
10
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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