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参数资料
| 型号： | FDI3652 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
TO-263 2L (D 2 PAK)
Figure 23 . 2LD, TO263, Surface Mount
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Dimension in Millimeters
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3652 / FDB3652 Rev. C0
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www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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