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参数资料
| 型号： | FDM3622 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1090pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDM3622DKR |
December 2013
FDM3622
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100V, 4.4A, 60m Ω
Features
Max r DS(on) = 60m Ω at V GS = 10V, I D = 4.4A
Max r DS(on) = 80m Ω at V GS = 6.0V, I D = 3.8A
Low Miller Charge
Low QRR Body Diode
Optimized efficiency at high frequencies
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor's advanced PowerTrench ? process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain low gate charge for superior switching performance.
Applications
Distributed Power Architectures and VRMs.
Primary Switch for 24V and 48V Systems
RoHS Compliant
High Voltage Synchronous Rectifier
Formerly developmental type 82744
Top
Bottom
Pin 1
S
D
S
S
S
G
S
D
D
D
D
D
S
G
D
D
MLP 3.3x3.3
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
100
±20
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
(Note 1a)
4.4
20
A
E AS
P D
T J , T STG
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
54
2.1
0.9
-55 to +150
mJ
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
3.0
60
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDM3622
Device
FDM3622
Package
MLP 3.3x3.3
Reel Size
13’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDM3622 Rev.C4
1
www.fairchildsemi.com
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