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参数资料
| 型号： | FDM3622 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1090pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDM3622DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
100
20
10
r D S(on) LIMITED
10
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
100us
STARTING T J = 25 o C
1
1ms
10ms
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
100ms
R θ JA = 135 o C/W
0.01
0.1
1s
T A = 25 o C
DC
1 10 100
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
400
1
0.001
STARTING T J = 150 o C
0.01 0.1 1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
10
100
1.2
Figure 7. Forward Bias Safe
Operating Area
6
Figure 8. Uncalamped Inductive
Switching Capability
1.0
V GS = 10V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
Figure 9. Normalized Power dissipation
vs Ambient Temperature
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.0
0.8
0.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current
vs Ambient Temperature
1.2
I D = 250 μ A
1.1
1.0
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
-80
-40
0
40
80
120
160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold voltage
vs Junction Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source Breakdown
Voltage vs Junction Temperature
FDM3622 Rev.C4
4
www.fairchildsemi.com
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