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参数资料
| 型号： | FDM3622 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1090pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDM3622DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
500
V GS = 10V
T A = 25 C
100
SINGLE PULSE
o
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
R θ JA = 135 C/W
150 – T A
I = I 25
10
1
o
CURRENT AS FOLLOWS:
------------------------
125
10
10
10
10
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 13. Peak Current Capability
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
R θ JA = 135 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 14. Transient Thermal Response Curve
FDM3622 Rev.C4
5
www.fairchildsemi.com
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