参数资料
型号: FDM3622
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告: Mold Compound Change 17/March/2008
产品目录绘图: 8-MLP, Power33, 56 Dual
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 4.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1090pF @ 25V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商设备封装: 8-Power33(3x3)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDM3622DKR
Dimensional Outline and Pad Layout
0.10 C
3.30+0.10
A
(3.40)
2X
B
8
2.37
5
0.45(4X)
2.152
(1.70)
3.30+0.10
(0.402)
KEEP OUT
AREA
PIN#1 QUADRANT
TOP VIEW
2X
0.10 C
(0.648)
0.65
1
1.95
4
0.70(4X)
0.42(8X)
0.8 MAX
0.10 C
(0.20)
RECOMMENDED LAND PATTERN
0.08 C
0.05
0.00
SEATING
PLANE
SIDE VIEW
2.27+0.05
PIN #1 IDENT
0.50+0.05
(4X)
(1.15)
R0.15
1
(0.79)
4
(0.35)
2.00+0.05
A. DOES NOT CONFORM TO JEDEC
REGISTRATION MO-229
B. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C. DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M, 1994
D. LAND PATTERN RECOMMENDATION IS
BASED ON FSC DESIGN ONLY
0.30+0.05
(3X)
E. DRAWING FILE NAME : MKT-MLP08Srev2
8
0.65
1.95
5
0.35+0.05 (8X)
0.10
C A B
0.05
C
F. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
BOTTOM VIEW
FDM3622 Rev.C4
6
www.fairchildsemi.com
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