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参数资料
| 型号： | FDM3622 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1090pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDM3622DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
2.5
8
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T A = 25 o C
2.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 5V
6
1.5
4
2
0
V GS = 4.7V
V GS = 4.5V
1.0
0.5
0
V GS = 10V, I D = 4.4A
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-80
-40
0
40
80
120
160
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
80
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
70
8
V DD = 15V
60
I D = 4.4A
6
T J = 150 o C
I D = 0.2A
4
T J = 25 o C
T J = -55 o C
50
2
40
0
4
6
8
10
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
10
8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
V DD = 50V
1200
1000
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. Transfer Characteristics
C ISS = C GS + C GD
C OSS ? C DS + C GD
6
4
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
100
C RSS = C GD
0
I D = 4.4A
I D = 1A
10
V GS = 0V, f = 1MHz
0
3
6
9
12
15
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 5. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
FDM3622 Rev.C4
3
www.fairchildsemi.com
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