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参数资料
| 型号： | FDI047AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 138nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
SPICE Thermal Model
REV 23 March 2002
FDP047AN08A0T
CTHERM1 th 6 6.45e-3
CTHERM2 6 5 3e-2
CTHERM3 5 4 1.4e-2
RTHERM1
th
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM4 4 3 1.65e-2
CTHERM5 3 2 4.85e-2
CTHERM6 2 tl 1e-1
6
RTHERM1 th 6 3.24e-3
RTHERM2 6 5 8.08e-3
RTHERM3 5 4 2.28e-2
RTHERM4 4 3 1e-1
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 1.1e-1
RTHERM6 2 tl 1.4e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDP047AN08A0T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 6.45e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 3e-2
ctherm.ctherm3 5 4 = 1.4e-2
ctherm.ctherm4 4 3 = 1.65e-2
ctherm.ctherm5 3 2 = 4.85e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 1e-1
rtherm.rtherm1 th 6 = 3.24e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 8.08e-3
rtherm.rtherm3 5 4 = 2.28e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 1e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 1.1e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 1.4e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 / FDH047AN08A0 Rev. C2
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDI047AN08A0_F085 | 功能描述:MOSFET 75V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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