型号: |
FDI040N06 |
厂商: |
Fairchild Semiconductor |
文件页数: |
2/8页 |
文件大小: |
0K |
描述: |
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
产品变化通告: |
Product Discontinuation 27/Feb/2012
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产品目录绘图: |
I-PAK, I2PAK Pkg
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标准包装: |
50 |
系列: |
PowerTrench® |
FET 型: |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点: |
标准
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漏极至源极电压(Vdss): |
60V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
120A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
4 毫欧 @ 75A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大): |
4.5V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs: |
133nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds: |
8235pF @ 25V
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功率 - 最大: |
231W
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安装类型: |
通孔
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封装/外壳: |
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
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供应商设备封装: |
I2PAK
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包装: |
管件
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产品目录页面: |
1608 (CN2011-ZH PDF)
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