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参数资料
| 型号： | FDI33N25TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK |
| 产品目录绘图： | I-PAK, I2PAK Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2135pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 235W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
1.0
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 16.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
40
10
2
100 μ s
10 μ s
1 ms
10 ms
30
10
10
1
0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 ms
DC
※ Notes :
20
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
o
o
3. Single Pulse
10
10
10
10
-1
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
D =0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.02
10
-2
0.01
single pulse
※ N otes :
1. Z θ JC (t) = 0.53 ℃ /W M ax.
2. D uty F actor, D = t 1 /t 2
3. T JM - T C = P D M * Z θ JC (t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q uare W ave P ulse D uration [sec]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB33N25 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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