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参数资料
| 型号： | FDMC6296 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 11.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2141pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
FDMC6296
Single N-Channel Logic-Level Power Trench ? MOSFET
30 V, 11.5 A, 10.5 m Ω
November 2010
Features
Max r DS(on) = 10.5 m Ω at V GS = 10 V, I D = 11.5 A
Max r DS(on) = 15 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 10 A
Low Qg, Qgd and Rg for efficient switching performance
RoHS Compliant
Top
Bottom
General Description
This single N-Channel MOSFET in the thermally efficient
MicroFET Package has been specifically designed to perform
well in Point of Load converters. Providing an optimized balance
between r DS(on) and gate charge this device can be effectively
used as a “high side” control swtich or “low side” synchronous
rectifier.
Application
Point of Load Converters
1/16 Brick Synchronous Rectifier
Pin 1
S
S
S
G
D
D
5
6
4
3
G
S
D
7
2
S
D
D
D
D
D
8
1
S
MLP 3.3X3.3
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
±20
Units
V
V
I D
P D
Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
-Continuous
-Pulsed
T A = 25 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
(Note 1a)
11.5
40
2.1
0.9
A
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
3
53
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMC6296
Device
FDMC6296
Package
MLP 3.3X3.3
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC6296 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMC6676BZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Single ST3 P Z in MLP3.3x3.3 |
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