- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC6296 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC6296 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 11.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2141pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 11.5 A
V DD = 15 V
3000
8
V DD = 10 V
1000
C iss
6
4
V DD = 20 V
C oss
2
100
f = 1 MHz
C rss
0
0
3
6
9
12
15
V GS = 0 V
50
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
12
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
9
6
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
R θ JA = 53 C/W
T J = 125 o C
3
o
1
0.1
1
10
100 200
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
50
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
V GS = 10 V
1 ms
10
10 ms
100
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1s
10 s
DC
10
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
10
10
0.05
0.01
0.1
1
10
100200
1
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC6296 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC6675BZ | MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33 |
| FDMC6890NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 |
| FDMC7570S | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| FDMC7572S | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| FDMC7582 | MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F127 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6676BZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Single ST3 P Z in MLP3.3x3.3 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。