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参数资料
| 型号： | FDMC6296 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 11.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2141pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
40
5
30
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
4
V GS = 3 V
20
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
3
2
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
V GS = 4 V
10
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 10 V
0
0.0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
0
10 20
30
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
60
1.6
1.4
1.2
I D = 11.5 A
V GS = 10 V
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 11.5 A
1.0
20
T J = 125 o C
0.8
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
40
V GS = 0 V
30
20
V DS = 5 V
T J = 125 o C
10
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
T J = 25 o C
T J = -55 o C
1
T J = -55 o C
0
0
1
2
3
4
5
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC6296 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F127 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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