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参数资料
| 型号： | FDMC6675BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33 |
| 产品目录绘图： | MOSFET MLP 3.3x3.3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.4 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2865pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC6675BZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = -9.5 A
V DD = -10 V
5000
C iss
6
4
V DD = -15 V
V DD = -20 V
1000
C oss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
10
20
30
40
50
100
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
50
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -10 V
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
30
20
V GS = -4.5 V
T J = 125 o C
R T JC = 3.4 C/W
10
Limited by Package
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
10
10
70
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
1 ms
10 ms
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
-4
V GS = 0V
-5
T J = 150 o C
-6
1
THIS AREA IS
10
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
-7
T J = 25 o C
R T JA = 125 C/W
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
1s
10 s
DC
-8
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
-9
0
5
10
15
20
25
30
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 12. I gss vs V gss
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC6675BZ Rev.D3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F127 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6676BZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Single ST3 P Z in MLP3.3x3.3 |
| FDMC6679AZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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