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参数资料
| 型号： | FDMC6675BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33 |
| 产品目录绘图： | MOSFET MLP 3.3x3.3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.4 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2865pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC6675BZDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
1000
V GS = -10 V
100
SINGLE PULSE
R T JA = 125 C/W
T A = 25 C
10
1
0.3
o
o
10
10
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 13. Single Pulse Maximum Power Dissipation
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
R T JA = 125 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z T JA x R T JA + T A
10
10
10
0.001
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 14. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC6675BZ Rev.D3
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC6890NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 |
| FDMC7570S | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| FDMC7572S | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| FDMC7582 | MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN |
| FDMC7660DC | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F127 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6676BZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Single ST3 P Z in MLP3.3x3.3 |
| FDMC6679AZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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