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参数资料
| 型号： | FDMC7582 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 16.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1795pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
60
V GS = 10 V
10
50
40
V GS = 5 V
V GS = 4 V
V GS = 3.5 V
8
V GS = 3 V
V GS = 3.5 V
6
30
20
10
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 3 V
4
2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4 V
0
0
1
2
3
0
0
10
20
V GS = 5 V
30 40
V GS = 10 V
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
30
1.5
1.4
1.3
I D = 16.7 A
V GS = 10 V
24
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 16.7 A
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
18
12
6
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.7
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
60
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0 V
50
40
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
10
1
T J = 150 o C
30
20
T J = 150 o C
0.1
T J = 25 o C
10
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0
2
4
6
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7582 Rev.C6
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC7660DC | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
| FDMC7660S | MOSFET N-CH 30V 8-PQFN |
| FDMC7660 | MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN |
| FDMC7664 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7672 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC7660 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7660 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor |
| FDMC7660_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m?? |
| FDMC7660DC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7660S | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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