参数资料
型号: FDMC7582
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
标准包装: 3,000
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 毫欧 @ 16.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1795pF @ 13V
功率 - 最大: 2.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商设备封装: 8-PQFN(3.3X3.3),Power33
包装: 带卷 (TR)
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
t 2
R θ JA = 125 C/W
o
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
0.001 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7582 Rev.C6
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDMC7660DC MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
FDMC7660S MOSFET N-CH 30V 8-PQFN
FDMC7660 MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN
FDMC7664 MOSFET N-CH 30V 8-MLP
FDMC7672 MOSFET N-CH 30V 8-MLP
相关代理商/技术参数
参数描述
FDMC7660 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7660 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor
FDMC7660_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m??
FDMC7660DC 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7660S 功能描述:MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube