- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC7660DC (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC7660DC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5170pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC7660DCDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 22 A
V DD = 10 V
6000
C iss
6
4
V DD = 15 V
V DD = 20 V
1000
C oss
2
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
50
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
160
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 1.6 C/W
V GS = 10 V
o
10
T J = 25 o C
120
T J = 125 o C
T J = 100 o C
80
40
V GS = 4.5 V
Limited by Package
1
0.01
0.1
1
10
100 300
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
500
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
4
SINGLE PULSE
10
100 us
3
R θ JA = 105 o C/W
10
10
1 ms
10 ms
2
T A = 25 o C
1
THIS AREA IS
LIMITED BY rDS ( on )
100 ms
10
10
10
10
0.1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 105 o C/W
T A = 25 o C
0.1
1
10
1s
10s
DC
100
1
0.2 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7660DC Rev.C3
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC7660S | MOSFET N-CH 30V 8-PQFN |
| FDMC7660 | MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN |
| FDMC7664 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7672 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7680 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC7660S | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7664 | 功能描述:MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672 | 功能描述:MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672_F065 | 功能描述:MOSFET PT7, NCH, 30/20V in MLP 3.3x3. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672_F073 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 16.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。