参数资料
型号: FDMC7660DC
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
标准包装: 1
系列: Dual Cool™, PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.2 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5170pF @ 15V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-MLP,Power33
供应商设备封装: Power33
包装: 标准包装
其它名称: FDMC7660DCDKR
Dimensional Outline and Pad Layout
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7660DC Rev.C3
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDMC7660S 功能描述:MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7664 功能描述:MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7672 功能描述:MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7672_F065 功能描述:MOSFET PT7, NCH, 30/20V in MLP 3.3x3. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMC7672_F073 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 16.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube