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参数资料
| 型号： | FDMC7660S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8-PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4325pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC7660SFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 20 A
10000
C iss
6
4
V DD = 15 V
V DD = 10 V
V DD = 20 V
1000
100
C oss
C rss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
10
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
30
R θ JC = 3 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
T J = 25 o C
10
T J = 100 o C
T J = 125 o C
1
150
120
90
60
30
0
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
Limited by Package
o
0.01
0.1
1
10
100
1000
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
500
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
3000
SINGLE PULSE
100
100 us
1000
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
1 ms
100
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7660S Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC7660 | MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN |
| FDMC7664 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7672 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7680 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7692S | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC7664 | 功能描述:MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672 | 功能描述:MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672_F065 | 功能描述:MOSFET PT7, NCH, 30/20V in MLP 3.3x3. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672_F073 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 16.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672S | 功能描述:MOSFET 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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