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参数资料
| 型号： | FDMC7664 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 18.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4865pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
0.10 C
3.30+0.10
A
(3.40)
2X
B
8
2.37
5
0.45(4X)
2.152
(1.70)
3.30+0.10
(0.402)
KEEP OUT
AREA
PIN#1 QUADRANT
TOP VIEW
2X
0.10 C
(0.648)
0.65
1
1.95
4
0.70(4X)
0.42(8X)
0.8 MAX
0.10 C
(0.20)
RECOMMENDED LAND PATTERN
0.08 C
0.05
0.00
SEATING
PLANE
SIDE VIEW
2.27+0.05
PIN #1 IDENT
0.50+0.05
(4X)
(1.15)
R0.15
1
(0.79)
4
(0.35)
2.00+0.05
A. DOES NOT CONFORM TO JEDEC
REGISTRATION MO-229
B. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C. DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M, 1994
D. LAND PATTERN RECOMMENDATION IS
BASED ON FSC DESIGN ONLY
0.30+0.05
(3X)
E. DRAWING FILE NAME : MKT-MLP08Srev2
8
0.65
1.95
5
0.35+0.05 (8X)
0.10
C A B
0.05
C
F. FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
BOTTOM VIEW
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7664 Rev.C3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC7672 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7680 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7692S | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC7692 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC8010 | MOSFET N-CH 30V 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC7672 | 功能描述:MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672_F065 | 功能描述:MOSFET PT7, NCH, 30/20V in MLP 3.3x3. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672_F073 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 16.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672S | 功能描述:MOSFET 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672S_F125 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 14.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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