- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC86320 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC86320 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.7 毫欧 @ 10.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2640pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC86320FSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
3000
8
6
I D = 10.7 A
V DD = 40 V
V DD = 30 V
V DD = 50 V
1000
C iss
C oss
100
4
C rss
2
10
0
0
5
10
15
20
25
30
f = 1 MHz
V GS = 0 V
5
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
50
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs. Drain
to Source Voltage
10
T J = 25 o C
30
V GS = 8 V
V GS = 10 V
T J = 100 o C
20
R θ JC = 3.1 C/W
T J
= 125 o C
10
Limited by Package
o
1
0.01
0.1
1
10
50
0
25
50
75
100
125
150
T C , C ASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs. Case Temperature
2000
1000
V GS = 10 V
10
100 μ s
1 ms
100
0.5 -4
T A = 25 C
10
10
10
1
0.1
0.01
0.01
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.1 1
10
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
100 400
10
1
10
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
o
-3 -2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86320 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC86324 | MOSFET N-CH 80V 20A POWER33 |
| FDMC86520L | MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP |
| FDMC8854 | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 |
| FDMC8878 | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 |
| FDMC8882 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86324 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86340 | 功能描述:MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:80 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:48 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:8.5 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:Power-33 封装:Reel |
| FDMC8651 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86520DC | 功能描述:MOSFET 60V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86520L | 功能描述:MOSFET 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。