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参数资料
| 型号： | FDMC8878 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1230pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8878DKR |
November 2013
FDMC8878
N-Channel Power Trench ? MOSFET
30V, 16.5A, 14m :
Features
? Max r DS(on) = 14m : at V GS = 10V, I D = 9.6A
? Max r DS(on) = 17m : at V GS = 4.5V, I D = 8.7A
? Low Profile - 0.8 mm max in MLP 3.3 X 3.3
General Description
This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench
process. It has been optimized for power management
applications.
? RoHS Compliant
Application
? DC - DC Conversion
Top
Bottom
8
7
6 5
D D D D
D
D
D
5
6
7
4 G
3 S
2 S
1
2 3 4
MLP 3.3x3.3
G S S S Pin 1
D
8
1 S
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25°C
Ratings
30
±20
16.5
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
38
9.6
A
-Pulsed
60
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
31
2.1
-55 to +150
W
° C
Thermal Characteristics
R T JC
R T JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
4
60
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMC8878
Device
FDMC8878
Package
MLP 3.3 X 3.3
Reel Size
13 ”
Tape Width
12 m m
Quantity
3 000 units
?20 1 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8878 Rev. D 5
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8878 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SMD MLP |
| FDMC8878_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 30V, 16.5A, 14m |
| FDMC8878_F126 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 9.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8878_F127 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 9.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8878_NBSE003 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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