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参数资料
| 型号： | FDMC8878 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1230pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8878DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
60
50
V GS = 10V
V GS = 3.5V
2.5
2.0
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
30
V GS = 4.5V
V GS = 4V
V GS = 3V
1.5
V GS = 3V
V GS = 3.5V
V GS = 4V
V GS = 4.5V
20
1.0
10
PULSE DURATION = 80 P s
V GS = 10V
0
0
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1 2 3
4
0.5
0
10
20
30
40
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
ID, DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
30
1.4
I D = 9.6A
V GS = 10V
25
I D = 9.6A
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
1.0
0.8
20
15
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
5
3
4 5 6
7 8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
60
PULSE DURATION = 80 P s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
50
40
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DD = 5V
10
30
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
20
10
T J = 150 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0.001
0
1
2
3
4
0.0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?20 1 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8878 Rev. D 5
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| FDMC8878_NBSE003 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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