- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC86324 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 80V 20A POWER33 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC86324 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 20A POWER33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 965pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC86324DKR |
May 2010
FDMC86324
N-Channel Power Trench ? MOSFET
80 V, 20 A, 23 m Ω
Features
Max r DS(on) = 23 m Ω at V GS = 10 V, I D = 7 A
Max r DS(on) = 37 m Ω at V GS = 6 V, I D = 4 A
Low Profile - 1 mm max in Power 33
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Top
Bottom
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Application
DC - DC Conversion
S
Pin 1
S
S
G
D
D
5
6
4
3
G
S
D
7
2
S
D
D
D
D
D
8
1
S
Power 33
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25 °C
Ratings
80
±20
20
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
30
7
A
-Pulsed
30
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
72
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
41
2.3
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
3
53
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMC86324
Device
FDMC86324
Package
Power 33
Reel Size
13’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86324 Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC86520L | MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP |
| FDMC8854 | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 |
| FDMC8878 | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 |
| FDMC8882 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC8884 | MOSFET N-CH 30V 9A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86340 | 功能描述:MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:80 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:48 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:8.5 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:Power-33 封装:Reel |
| FDMC8651 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86520DC | 功能描述:MOSFET 60V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86520L | 功能描述:MOSFET 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86570L | 功能描述:MOSFET 60V N Chan Shielded Gate Power Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:60 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:56 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:6.5 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:Power-33 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。