- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC86520L (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC86520L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.9 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 64nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4550pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC86520LDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
60
V GS = 4 V
4
PULSE DURATION = 80 μ s
50
V GS = 3.5 V
3
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
40
30
20
10
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 3 V
2
1
V GS = 3 V
V GS = 3.5 V
V GS = 4 V
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
0
0.5
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0 1.5
2.0
2.5
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
40
1.6
I D = 13.5 A
V GS = 10 V
30
I D = 13.5 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
1.2
1.0
20
T J = 125 o C
10
0.8
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs. Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs. Gate to
Source Voltage
60
50
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 150 o C
1
30
T J = 150 o C
0.1
T J = 25 o C
20
10
0
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs. Source Current
FDMC86520L Rev . C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8854 | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 |
| FDMC8878 | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 |
| FDMC8882 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC8884 | MOSFET N-CH 30V 9A POWER33 |
| FDME1023PZT | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86570L | 功能描述:MOSFET 60V N Chan Shielded Gate Power Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:60 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:56 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:6.5 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:Power-33 封装:Reel |
| FDMC8676 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8676_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC8678S | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8854 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。