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参数资料
| 型号： | FDMC8854 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3405pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8854DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
100
3.0
PULSE DURATION = 80 μ s
80
V GS = 10.0V
2.5
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS =4.5V
60
40
V GS = 4.0V
V GS = 3.5V
2.0
1.5
V GS = 3.5V
V GS = 4V
V GS = 4.5V
20
PULSE DURATION = 80 μ s
1.0
V GS = 10.0V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D =15A
V GS = 10V
15
12
9
6
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D =15A
T J = 125 o C
0.8
T J = 25 o C
0.6
-75
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
3
2
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs. Junction Temperature
100
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
80
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs. Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
10
60
40
20
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0.1
0.01
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1E-3
1.5
2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs. Source Current
FDMC8854 Rev.C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8878 | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 |
| FDMC8882 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC8884 | MOSFET N-CH 30V 9A POWER33 |
| FDME1023PZT | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET |
| FDME1024NZT | MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8878 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SMD MLP |
| FDMC8878_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 30V, 16.5A, 14m |
| FDMC8878_F126 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 9.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8878_F127 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 9.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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