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参数资料
| 型号： | FDMC8854 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3405pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8854DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
4000
8
I D = 15A
Ciss
6
V DD = 5V
V DD = 10V
1000
4
2
V DD =15V
f = 1MHz
V GS = 0V
Coss
C rss
0
0
10
20 30
40
50
100
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
10
80
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs. Drain
to Source Voltage
T J
= 25 o C
40
V GS = 10V
R θ JC = 3 C/W
T J = 125 o C
20
Package limited
o
V GS = 4.5V
1
0.01
0.1 1 10 100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs. Case Temperature
100
10
1ms
200
100
V GS = 10V
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
1 R
150 – T A
DS(ON) LIMITED
10ms
10
I = I 25
------------------------
125
SINGLE PULSE
100ms
0.1
TJ = MAX RATED
R θ JA = 135o C/W
1s
TA = 25o C
DC
1
10
10
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5 -3
10
-2
-1
SINGLE PULSE
0 1
2
3
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMC8854 Rev.C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8878 | MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33 |
| FDMC8882 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| FDMC8884 | MOSFET N-CH 30V 9A POWER33 |
| FDME1023PZT | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET |
| FDME1024NZT | MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8878 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SMD MLP |
| FDMC8878_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 30V, 16.5A, 14m |
| FDMC8878_F126 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 9.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8878_F127 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 9.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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