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参数资料
| 型号： | FDME1023PZT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 142 毫欧 @ 2.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
6
3
4
2
V GS = -4.5 V
V GS = -3 V
V GS = -2.5 V
V GS = - 1.8 V
2
1
V GS = -1.5 V
V GS = -1.8 V
V GS = -2.5 V
V GS = -3 V
0
V GS = -1.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -4.5 V
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
2
4
6
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
I D = -2.3 A
500
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
1.2
V GS = -4.5 V
400
300
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = -2.3 A
1.0
0.8
200
100
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
6
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = -5 V
4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
V GS = 0 V
1
T J = 150 o C
2
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
0.01
0.001
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDME1023PZT Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDME1024NZT | MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET |
| FDME1034CZT | MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET |
| FDME410NZT | MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET |
| FDME905PT | MOSFET P-CH 12V 6-UMLP |
| FDML7610S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDME1024NZT | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME1024NZT ENG | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDME1034CZT | 功能描述:MOSFET 20V Complementary PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME410NZT | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME430NT | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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