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参数资料
| 型号： | FDMF6706C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE DRMOS 40A 1000KHZ 40PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | XS™ DrMOS |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 40A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 40-PowerTFQFN |
| 供应商设备封装： | 40-PQFN（6x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMF6706CDKR |
Application Information
Supply Capacitor Selection
For the supply input (V CIN ), a local ceramic bypass
capacitor is recommended to reduce noise and to
supply the peak current. Use at least a 1 μF X7R or X5R
capacitor. Keep this capacitor close to the VCIN pin and
connect it to the GND plane with vias.
Bootstrap Circuit
The bootstrap circuit uses a charge storage capacitor
(C BOOT ), as shown in Figure 23. A bootstrap capacitance
of 100 nF X7R or X5R capacitor is adequate. A series
bootstrap resistor would be needed for specific
applications to improve switching noise immunity.
VCIN Filter
The VDRV pin provides power to the gate drive of the
high-side and low-side power FET. In most cases, it can
be connected directly to VCIN, the pin that provides
power to the logic section of the driver. For additional
noise immunity, an RC filter can be inserted between
VDRV and VCIN. Recommended values would be 10 ?
and 1 μF.
Power Loss and Efficiency
Measurement and Calculation
Refer to Figure 23 for power loss testing method. Power
loss calculations are:
P IN =(V IN x I IN ) + (V 5V x I 5V ) (W)
P SW =V SW x I OUT (W)
P OUT =V OUT x I OUT (W)
P LOSS_MODULE =P IN - P SW (W)
P LOSS_BOARD =P IN - P OUT (W)
EFF MODULE =100 x P SW /P IN (%)
EFF BOARD =100 x P OUT /P IN (%)
Figure 23.
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMF6706C ? Rev. 1.0.3
Power Loss Measurement Block Diagram
14
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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