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参数资料
| 型号： | FDMF6706C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE DRMOS 40A 1000KHZ 40PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | XS™ DrMOS |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 40A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 40-PowerTFQFN |
| 供应商设备封装： | 40-PQFN（6x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMF6706CDKR |
Electrical Characteristics
Typical values are V IN = 12 V, V CIN = 5 V, V DRV = 5 V, and T A = +25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Condition
Min. Typ. Max. Unit
High-Side Driver
R SOURCE_GH Output Impedance, Sourcing Source Current=100 mA
1
?
R SINK_GH
t R_GH
t F_GH
t D_DEADON
Output Impedance, Sinking
Rise Time
Fall Time
LS to HS Deadband Time
Sink Current=100 mA
GH=10% to 90%, C LOAD =1.1 nF
GH=90% to 10%, C LOAD =1.1 nF
GL going LOW to GH going HIGH,
2 V GL to 10 % GH
0.8
12
11
10
?
ns
ns
ns
t PD_PLGHL
t PD_PHGHH
t PD_TSGHH
PWM LOW Propagation
Delay
PWM HIGH Propagation
Delay (SMOD Held LOW)
Exiting 3-State Propagation
Delay
PWM going LOW to GH going LOW,
V IL_PWM to 90% GH
PWM going HIGH to GH going HIGH,
V IH_PWM to 10% GH (SMOD=LOW)
PWM (from 3-State) going HIGH to GH
going HIGH, V IH_PWM to 10% GH
16
30
30
30
ns
ns
ns
Low-Side Driver
R SOURCE_GL Output Impedance, Sourcing Source Current=100 mA
1
?
R SINK_GL
t R_GL
t F_GL
Output Impedance, Sinking
Rise Time
Fall Time
Sink Current=100 mA
GL=10% to 90%, C LOAD =2.7 nF
GL=90% to 10%, C LOAD =2.7 nF
0.5
12
8
?
ns
ns
t D_DEADOFF HS to LS Deadband Time
SW going LOW to GL going HIGH,
2.2 V SW to 10% GL
12
ns
t PD_PHGLL
t PD_TSGLH
PWM-HIGH Propagation
Delay
Exiting 3-State Propagation
Delay
PWM going HIGH to GL going LOW,
V IH_PWM to 90% GL
PWM (from 3-State) going LOW to GL
going HIGH, V IL_PWM to 10% GL
9
20
25
ns
ns
Boot Diode
V F
V R
Forward-Voltage Drop
Breakdown Voltage
I F =10 mA
I R =1 mA
22
0.35
V
V
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMF6706C ? Rev. 1.0.3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMF6707B | MODULE DRMOS 50A 300KHZ 40PQFN |
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| FDMF6708N | MODULE DRMOS 50A 40PQFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMF6707B | 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS; Hi-Freq Hi-Perf Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6707C | 功能描述:功率驱动器IC Xtra-Small Hi-Perf Hi-Freq DrMOS Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6707V | 功能描述:功率驱动器IC Hi Performance, Hi Frequency DrMOS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6708N | 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS Module Hi-Perf, Hi-Freq RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6730 | 功能描述:功率驱动器IC Plus Driver Multichip Modules RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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